廢氣處理(lǐ)設備，主要(yào)是(shì)運用(yòng ♣®€)不(bù)同工(gōng)藝技(jì)術(↔®shù)，通(tōng)過回收或去(qù)除減少(shǎo₹ λ​)排放(fàng)尾氣的(de)有(yǒu)害成分(fēn)，達到(dào)保護環境、淨化(hu λà)空(kōng)氣的(de)一(yī)種環保設備。

廢氣處理(lǐ)設備主要(yào)分(fēn)為≥©α•(wèi)以下(xià)幾種：

1、吸收設備吸收法采用(yòng)低(dī)揮發或不(bù)揮發性Ω‍≤↑溶劑對(duì)VOCs進行(xíng)吸收，再利用(yòng)VOCα<≈✘s和(hé)吸收劑物(wù)理(lǐ)性質的(d±'e)差異進行(xíng)分(fēn)離(lí)↕↓。含VOCs的(de)氣體(tǐ)自(zì)吸收塔底部進入塔± €內(nèi)，在上(shàng)升過程中與來(lái)自(zì)塔頂的(de✔•↔)吸收劑逆流接觸，淨化(huà)後的(de)氣體(tǐ)由塔頂排出。吸收了(le)VOCs§"φ的(de)吸收劑通(tōng)過熱(rè)交換器(qì)後，進入汽提塔頂部，在溫度高(g<¶āo)于吸收溫度或壓力低(dī)于吸收壓力的(de)條件(jiàn)下(xià)解吸★∞★γ。解吸後的(de)吸收劑經過溶劑冷(lěng)凝器(qì)冷↓γ←(lěng)凝後回到(dào)吸收塔。解吸出的(de)VOCs&≤απ氣體(tǐ)經過冷(lěng)凝器(qì)、氣液分(fēn)離(♠✘ lí)器(qì)後以較純的(de)VOCs氣體(tǐ)離(lí)開(kāi)汽<¶©γ提塔，被回收利用(yòng)。該工(gōng↑σ©)藝适合于VOCs濃度較高(gāo)、溫度較低♠±'≥(dī)的(de)氣體(tǐ)淨化(huà)，其他(tā)情況下(x♥ε§∏ià)需要(yào)作(zuò)相(xiàng)應的(d₩→e)工(gōng)藝調整。

2、吸附設備在用(yòng)多(duō)←'​孔性固體(tǐ)物(wù)質處理(lǐ)流體(tǐ)混合物(wù)時(s ≥hí)，流體(tǐ)中的(de)某一(yī)組分(fēn)或某些(xiē)組分(fē←∑​n)可(kě)被吸表面并濃集其上(shàng)‌α'∑，此現(xiàn)象稱為(wèi)吸附。吸附處理(lǐ★•♣☆)廢氣時(shí)，吸附的(de)對(duì)象是(shì)氣态污®δ®染物(wù)，氣固吸附。被吸附的(de)氣體(tǐ)組分(fēn)稱為(wèi)β£吸附質，多(duō)孔固體(tǐ)物(wù)質稱為(w<φèi)吸附劑。固體(tǐ)表面吸附了(le)吸附質後，一(yī) ≥εφ部被吸附的(de)吸附質可(kě)從(cóng)吸附劑表面脫離≈>σ(lí)，此現(xiàn)附。而當吸附進行(xíng)一(yī)段時(shí)間(jiān)後，由€"©于表面吸附質的(de)濃集，使其吸附能(néng)力明(±®¥míng)顯下(xià)降而吸附淨化(huà©ε↑)的(de)要(yào)求，此時(shí)需要(yào)采用(yòng)一(yī)定的(de)措φ★Ω施使吸附劑上(shàng)已吸附的(de)吸附質脫附，以協的(de)吸附Ω↔能(néng)力，這(zhè)個(gè)過程稱為(wèi)吸附劑的(de)再生( ™shēng)。因此在實際吸附工(gōng)程中，正是(shì≤♣×)利用(yòng)吸附一(yī)再生(shēng)一(yδ£"↑ī)再吸附的(de)循環過程，達到(dào)λ★≈€除去(qù)廢氣中污染物(wù)質并回收廢氣中有(yǒu)δ§用(yòng)組分(fēn)。

3、有(yǒu)機(jī)廢氣的(de)燃燒及催化(huà)淨化(huà)設備燃燒法用(yò∏ ‍ng)于處理(lǐ)高(gāo)濃度Voc與有(yǒu)惡臭的(de)化(huà)↔£"合物(wù)很(hěn)有(yǒu)效，其原©≥σ理(lǐ)是(shì)用(yòng)過量的(dπ&e)空(kōng)氣使這(zhè)些(xiē)雜(zá)質燃燒，大(dà)多(duō)數(s₽ σhù)生(shēng)成二氧化(huà)碳£¥€₹和(hé)水(shuǐ)蒸氣，可(kě)以排放(fàng)到(dào)大(dà)氣中。但(d♦×↕àn)當處理(lǐ)含氯和(hé)含硫的(de)有(yǒu)機(jī)化(huà)合物(wù)時 <'(shí)，燃燒生(shēng)成産物(wù)中HClα∑♦×或SO2，需要(yào)對(duì)燃燒後氣體(tǐ)進一(yī)步處理(lǐ)↕ •。

4、工(gōng)業(yè)有(yǒu)機(jī)廢氣的(de)低(dī)溫等離(l$≠í)子(zǐ)體(tǐ)的(de)治理(lǐ)設備等離(lí)§≤€¶子(zǐ)體(tǐ)就(jiù)是(shì)處于電(dià¶↓£↓n)離(lí)狀态的(de)氣體(tǐ)等離(lí)子(zǐ)體(tǐ)由大(dà)量的(δ✘λ☆de)子(zǐ)、中性原子(zǐ)、激發态原子(zǐ)、光(guāng)子(zβ↑φ→ǐ)和(hé)自(zì)由基等組成，但(dà↔™ ∞n)電(diàn)子(zǐ)和(hé)正離(lí)子(zǐ)的(de)電(dià™ ∏←n)荷數(shù)體(tǐ)表現(xiàn)出γ©₹電(diàn)中性，這(zhè)就(jiù)是(shì)“等離(lí)¥©<子(zǐ)體(tǐ)”的(de)含義。等離(lí)子(zǐ×‌∞σ)體(tǐ)具有(yǒu)導電(diàn)和(hé)受電(diàn)磁影(yεγ☆ǐng)響的(de)許多(duō)方面與固體(tǐ)、液體(tǐ)和(€≈ hé)氣體(tǐ)不(bù)同，因此又(yòu)有(yǒu)人(rén)把它稱為(wè♣↑≥i)物(wù)質的(de)第四種狀态。根據狀态、溫度和(hé)離(lí)子(z§εǐ)密度，等離(lí)子(zǐ)體(tǐ)通(tōng)∞≠常可(kě)以分(fēn)為(wèi)高(gāo)溫等離(lí)子(zǐ)體(tǐ)和(hé)低(≈≥dī)溫等離(lí)子(zǐ)體(tǐ)（Ω↕✘包子(zǐ)體(tǐ)和(hé)冷(lěng)等離(lí)子(zǐ)體(tǐ)）。其中高(gāo)®↔±φ溫等離(lí)子(zǐ)體(tǐ)的(de)電(diàn)離(lí)度接近(jì'₽∏n)1，各種粒子(zǐ)溫度幾乎相(xiàng)同π₹÷≈系處于熱(rè)力學平衡狀态，它主要(yào)應用(yòng)在受控熱(rè)核反應研究方‌≥‍面。而低(dī)溫等離(lí)子(zǐ)體(tǐ)則學非平衡狀态，各種粒子(z♣εǐ)溫度并不(bù)相(xiàng)同。其中電(diàn)子(zǐ)溫♦₹φ度(Te)≥離(lí)子(zǐ)溫度(Ti)，可(kě)達104K以上(✘→©shàng)，而其離(lí)子(zǐ)和(hé)中性粒子(zǐ)的(d ×÷•e)溫度卻可(kě)低(dī)到(dào)300～5♣‌"₽00K。一(yī)般氣體(tǐ)放(fàng)∞→電(diàn)子(zǐ)體(tǐ)屬于低(dī)溫等離(lí£β )子(zǐ)體(tǐ)。目前對(duì)低↔€​←(dī)溫等離(lí)子(zǐ)體(tǐ)的(de)作(zuò)用(yòng)機♣↕>(jī)理(lǐ)研究認為(wèi)是(shì)粒♠↑子(zǐ)非彈性碰撞的(de)結果。低(dī)溫等離(lí)富含電(diàn)φ¥子(zǐ)、離(lí)子(zǐ)、自(zì)©↔α©由基和(hé)激發态分(fēn)子(zǐ)，其中高(gāoφ ‌™)能(néng)電(diàn)子(zǐ)與氣體(tǐ)分(fēn)子(✔׶∞zǐ)（原子(zǐ)）發生(shēng)撞，将∏≥轉換成基态分(fēn)子(zǐ)（原子(zǐ)）的(→<de)內(nèi)能(néng)，發生(shēng)激™☆♦ 發、離(lí)解和(hé)電(diàn)離(lí)等一(yī)系列過稭處↑₹于活化(huà)狀态。一(yī)方面打開(kāi)了(le)氣體(tǐ)分(fēn)子(zǐ)鍵♥ ，生(shēng)成一(yī)些(xiē)單分(fēn)子(zǐ)和(hé)固體(tǐ)微(wφ¥↓∞ēi)粒；另一(yī)力生(shēng)．OH、H2O2．等自(zì)₽≠由基和(hé)氧化(huà)性極強的(de)O3，在這(zhè)一(♥↑yī)過程中高(gāo)能(néng)電(diàn)子(zǐ)起決定性作(zuò)用↑©>(yòng)，離(lí)子(zǐ)的(de)熱(rè)運動隻有(yǒu)副作(z≈λ☆ uò)用(yòng)。常壓下(xià)，氣≈​≈體(tǐ)放(fàng)電(diàn)産生(shēng)的(de)高∏✔(gāo)度非平衡等離(lí)子(zǐ)體(tǐ)中電(↕✔¥'diàn)子(zǐ)溫層氏度）遠(yuǎn)高(gāo)于氣體(tǐ)₩↑×✘溫度（室溫100℃左右）。在非平衡等離(lí)子(zǐ)‍©γ✔體(tǐ)中可(kě)能(néng)發生₹±(shēng)各種類型的(de)化(huà)學反應，主要(yào)決定于電(diàn)子(z®←♥&ǐ)的(de)平均電(diàn)子(zǐ♦¥≤©)密度、氣體(tǐ)溫度、有(yǒu)害氣體(tǐ)分(fē✔δγ♥n)子(zǐ)濃度和(hé)≥氣體(tǐ)®¶÷€成分(fēn)。這(zhè)為(wèi)一(yī)些(xiē)需要(yào)很(hě •δn)大(dà)活化(huà)能(néng)的(de)反應如(rú)大(dà)‍≈氣中難降解污染物(wù)的(de)去(qù)除提供了(le)另外(wài)也(yě)可(kδεě)以對(duì)低(dī)濃度、高(gāo)流速、大(dà)風(fēng)量的(d≤☆e)含揮發性有(yǒu)機(jī)污染物(wù)和(hé)含硫類污染®₹ 物(wù)等：行(xíng)處理(lǐ)。常見(jiàn)的(de)産生 ♦§(shēng)等離(lí)子(zǐ)體(≠€tǐ)的(de)方法是(shì)氣體(tǐ)放(fàng)電(diàn)，所謂氣體εφ$(tǐ)放(fàng)電(diàn)是(shì)指通(tōng)過某種機(jī)制(z¶₹  hì)使一(yī)電(diàn)子(zǐ)從(cóng)氣體(tǐ)原子(λ®♦zǐ)或分(fēn)子(zǐ)中電(diàn)離(lí)出來(lái)，形成的(de)氣體(tǐ)↑♥→≤媒質稱為(wèi)電(diàn)離(lí)氣體(tǐ)，如(∑®λ♣rú)果電(diàn)離(lí)氣由外(wài)電(diàn)場(chǎng)産生(s©™<hēng)并形成傳導電(diàn)流，這(zhè)種現(xiàn)象稱‍♦為(wèi)氣體(tǐ)放(fàng)電(diàn)。

根據放(fàng)電(diàn)産生(shēng)的(de)機(jī)理(lǐ)、氣體©€​✔(tǐ)的(de)壓j源性質以及電(diàn)極>↓®的(de)幾何形狀、氣體(tǐ)放(fàng)電(diàn)等離(lí)子(zǐ)體(tǐ)主要(§≤yào)分(fēn)為(wèi)以下(xià)幾種形式：①輝光(guā ®σ‍ng)放(fàng)電(diàn)；③介質阻擋放(✘₹fàng)電(diàn)；④射頻(pín)放(fàng)電(diàn)；⑤微(wēi)波放(©∑fàng)電(diàn)。無論哪一(yī)種形式産生(shēng)的(de)等離(lí)子(zǐ)σ♦'體(tǐ)，都(dōu)需要(yào)高(gā✘‍ ≠o)壓放(fàng)電(diàn)。容易打火(huǒ)産生(shēng)危險。由于對('™Ωεduì)諸如(rú)氣态污染物(wù)的(de)治理(lǐ→≤π™)，一(yī)般要(yào)求在常壓下(xià)進↑∏行(xíng)。

5、光(guāng)催化(huà)和(hé)生(s£γ'<hēng)物(wù)淨化(huà)設備光(‍&guāng)催化(huà)是(shì)常溫深←→度反應技(jì)術(shù)。光(guāng)催化(huà)氧化(↑>$®huà)可(kě)在室溫下(xià)将水(shuǐ)、空(kōng)氣和(hé)土(tǔ)壤←∑中有(yǒu)機(jī)污染物(wù)完全氧化(h"•€uà)成無害的(de)産物(wù)，而傳統的(de)高(gāo)溫焚燒技(jì×≥•↕)術(shù)則需要(yào)在極高(gāo)的(de)溫γβ♠>度下(xià)才可(kě)将污染物(wù)摧毀，即使用(yòng)常規的(de)催化(huà)、ε ✘氧化(huà)方法亦需要(yào)幾百度₹ ∞™的(de)高(gāo)溫。從(cóng)理(lǐ)論上(sΩ¶£hàng)講，隻要(yào)半導體(tǐ)吸收的(de)光(guāng)能(néng)←♣✔不(bù)小(xiǎo)于其帶隙能(néng)，就(jiù)足以激發産生(shēng)電( →≤diàn)子(zǐ)和(hé)空(kōng)穴，該半導體(tǐ)®"✘$就(jiù)有(yǒu)可(kě)能(néng)用(yòng♠×)作(zuò)光(guāng)催化(huà)劑。常見(jiàn)的(de)單一(yī)化‌÷(huà)合物(wù)光(guāng)催化(hu৮↕™)劑多(duō)為(wèi)金(jīn)屬氧≥♣化(huà)物(wù)或硫化(huà)物(w™♦ù)，如(rú)Ti0。、Zn0、ZnS、CdS及♣∏PbS等。這(zhè)些(xiē)催化(huà)劑各自(zì)對(duì)特∏♣​定反應有(yǒu)突出優點，具體(tǐ)研究中π♣₹可(kě)根據需要(yào)選用(yòng)，如(rú)CdS半導體(tǐ)帶隙能(néng)≥÷ §較小(xiǎo)，跟太陽光(guāng)譜中的(de)近(jìn)紫外(wài)光(gβ≤uāng)段有(yǒu)較好(hǎo)的(de)匹配性能(néng)，×®₩可(kě)以很(hěn)好(hǎo)地(dì)利α ₹★用(yòng)自(zì)然光(guāng)能(néng)，但(dàn)它容易發生(shēn α☆g)光(guāng)腐蝕，使用(yòng)壽命有(yǒu)限。相(xiàng)對(duì)而≥&言，Ti02的(de)綜合性能(néng)較好(hǎo)，是(sh•↕₩σì)廣泛使用(yòng)和(hé)研究的(de)單一(yī)化(♣♦ huà)合物(wù)光(guāng)催化(hu±©™à)劑。

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